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弗吉尼亞理工大學，弗吉尼亞州阿靈頓 
Kanika Saini，Sanjay Raman，Amin K. Ezzeddine，Ho C Huang：使用具有獨立柵極偏壓控制的并聯晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強。

GaN HEMT兼有高輸出額定馬力強度和光纖寬帶寬下的有有效率率。僅是GaN HEMT的波形度一般 比GaAs電子元件的波形度差。這篇文提供 一個多種簡潔的技巧來減少GaN HEMT的波形度。所提供 的技巧是將電子元件拆成與獨特操縱的柵極偏置直流電壓串聯的個子單園，第三上下聯單園輸出做額定馬力組合公式。

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