亚洲一区二区精品-欧美一区二区三区在线-午夜精品在线-亚洲综合一区二区

咱們評估報告了了個高機械功效的GaN MMIC工率放縮器辦公在40MHz到400MHz中。這一個控制80W電磁（100US電磁參數和10%占空比）MMIC巡環）傳輸工率（P5dB），40MHz，50W熱的效應為54%差不多30%的熱的效應在大那部分的中間的波長，、在400MHz時，熱的效應日趨消減到30W，熱的效應為22%。40-400MHz頻段的工率收獲為25dB。這一個超大帶機械功效是能夠打版機 來控制的。傳輸輸出阻抗，并使用的顯著的光纖移動寬帶電源線路符合拓補學。哪幾種機 的詳解制作技術工藝水平并根據符合電源線路。分指數協議-光纖移動寬帶放縮器，高交流電壓技術工藝水平，微波射頻元器件，GaN MMIC PA.

一、引言
寬帶、大功率、高效率放大器是關鍵高級通信系統中的元素，如搜索和救援消防員、警察和海岸用軟件無線電警衛。實現寬帶的傳統技術放大是利用行波（TW）方法〔1, 2〕或設計寬帶匹配電路進行變換。該設備的輸入阻抗和輸出阻抗達到50歐姆（3）。這個TW技術使用多個裝置模擬50歐姆。傳輸線實現寬帶寬。寬頻帶匹配方法具有尺寸小的優點。然而，如果大功率器件的輸出阻抗相差很大從50歐姆，這種方法的輸出匹配電路遭受大尺寸，以及高射頻損耗。這種高射頻損耗嚴重降低放大器輸出。權力與效率。本文將FET串聯堆疊技術應用于最大化功率從PA [4-9]。還有大小功率級器件優化綜合最優
輸出阻抗接近50歐姆。這種方法使相對輸出阻抗匹配電路的設計，導致匹配電路中的低射頻損耗，導致高輸出功率寬帶高性能功率增加效率。
二。GaN單片集成電路設計
獲得超過20dB的功率增益，這是一個標稱規格在許多應用中，兩階段配置與基于TrimQuin的0.25m選擇級間匹配GaN HEMT工藝。圖1示出50W單片集成電路的照片。第一級器件尺寸為2.4mm，分為兩個1.2mm的路徑。第二級器件尺寸為16.8mm。
四，3系列1.4毫米HEMT組成。3x1.4mmHIFET裝置是DC和RF的三個1.4mm單位單元。
產品（圖2）。整流偏置交流電壓和頻射傳輸讀取阻抗匹配一些HIFET也是1.4mm方電芯的幾倍。設施，格外是在粉紅噪聲段。順利通過十分的采用方單位尺寸機器的多少和單位尺寸單位尺寸機器的數產品，當我們就能夠SEOHIFET傳輸讀取阻抗匹配為非常接近50歐姆，以實現了光纖寬帶耐熱性。