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描述
AMCOM的AM025WN-Bi-R是一個個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極長度為2.5mm。它在瓷質封裝形式類型形式中進行能達8 GHz。BI類別在使用特種制定的瓷質封裝形式類型形式，具備有彎度（Bi-G）或直（BI）引線的使用模式。封裝形式類型形式最下面的卡箍一并有所作為直流電源跨接、rf射頻跨接和熱路。這部電影分是具備RoHS規定的。

品牌	型號	貨期	庫存
AMCOM	AM025WN-BI-R	1周	50

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特征
高達8 GHz的高頻操作
增益＝16 dB，p5dB＝40 dBm，PAE＝52%，漏極＝56% @ 3 GHz。
表面貼裝
很好的排熱的邊側

應用
高動態接收機
蜂窩無線基站
寬帶和窄帶放大器
雷達
測試儀表
陸軍
干擾機