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0706LB低插入和返回損耗巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 11:01:39 0706LB低加入和調用損失巴倫配電變壓器，由不取舍繞阻和公司抽頭取舍繞阻主成的取舍環，雙重分享工率，5個大方向連接。North Hills巴倫斯精密加工公程低加入和回波損失。得天獨厚的取舍是采用本質中心對稱的組成部分來滿足的。

NH16447超高頻巴倫North Hills

2018-11-06 10:03:36 NH16447超寬頻巴倫North Hills，50歐姆至100歐姆巴倫供給了測試電路的設計性能特點至1.2GHz的容易和間接的做法。超寬頻巴倫輸入某一目標的電阻值，以及為低插進和回波耗用來了五金機械的設計。

0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫變壓器 North Hills

2018-11-06 09:25:41 North Hills的0300BB/0301BB/0010BB/0017CC/0700BB/0303LB巴倫電力變壓器，通常情況應用領域1千赫茲- 125兆赫，由不動態發展線圈和重心抽頭動態發展線圈主成的動態發展環，雙項遞送工率，三個方位輸入。北山巴倫斯精密制造建筑工程低讀取和回波耗費。卓越的動態發展是經由重要對稱軸的結構類型來實現了的。

L波段高壓砷化鎵場效應晶體管AM010MH4-BI-R

2018-11-05 15:33:48 Lk線壓力砷化鎵場調節作用單晶體管AM010MH4-BI-R，HiFET是壓力、高輸出、高曲線和寬帶網絡運用的一部分符合著作權的設備配值。該元電子元器件的總元電子元器件周圍為4mm。AM010MH4-Bi-R是為高輸出徽波運用而方案的，崗位率獨角獸高達3GHz。

S波段高增益高功率砷化鎵場效應晶體管AM120MH2-BI-R

2018-11-05 15:21:31 S中波段高增益值高工作上電流砷化鎵場現象晶胞管AM120MH2-BI-R，HIFET是的部分相匹配的知識產權主設備設備，用在高電流、高工作上電流和網絡帶寬廣泛用途。該配件的總配件外層為24mm。AM120 MH22-Bi-R是為高工作上電流微波通信廣泛用途而構思的，工作上頻次達6GHz。BI題材選用一項層次性構思的淘瓷封裝類型，包括可以彎曲的或垂直線的引線的安裝措施。

L波段砷化鎵場效應晶體管高電壓高功率和寬帶應用AM010MH2-BI-R

2018-11-05 15:17:07 L股票波段砷化鎵場負效應硫化鋅管高電阻值高公率和聯通寬帶軟件應用領域AM010MH2-BI-R，該元元件的總元元件外圍網為2mm。AM010MH2-Bi-R是為高公率微波通信軟件應用領域而結構制定的，工做速度達到了6GHz。BI系列作品應用一些特種結構制定的陶瓷廠家封口，兼具屈曲或切線的引線配置措施。

X波段低噪聲放大器_X波段低噪聲放大器芯片_X波段低噪聲放大器廠家

2018-11-05 14:31:26 Xk線低環境環境噪音放小器基帶芯片是環境環境噪音常數很低的放小器。一般來說當做各個wifi電閱讀機的低頻或中頻前置攝像頭放小器，各類高準確度度電子無線檢測機械設備的放小電路系統。在放小薄弱表現的商務活動，放小器主觀能動性的環境環境噪音對表現的影響也許管得嚴重，由此期盼縮小到類似這些環境環境噪音，以改善的輸出的信噪比。

C波段PCS基站航空電子通信AM005MH2-BI-R

2018-11-02 17:04:02 C波長PCS基站天線民用航空光電通訊AM005MH2-BI-R。HIFET是要素匹配好的發明權專用設備配值，適用于高輸出功效、高功效和移動寬帶選用。該元元件的總元元件外圍網為1mm。AM9005MH2-Bi-R是為高功效紅外光選用而的設計的，事情聲音頻率高達獨角獸6 GHz。它也是更高功效元元件的良好驅動下載器。

S波段射頻砷化鎵場效應功率管AM300MX-CU-R

2018-11-02 16:57:42 S中波段微波加熱頻射砷化鎵場相互作用工作的電壓管AM300MX-CU-R，這是一局部的總攔污柵屏幕寬度匹配為30mm。AM300 MX-CU-R是為高工作的電壓微波加熱應該用而結構定制的，工作的的頻率可高達6GHz。Cu一系列所采用本身特出結構定制的衛浴陶瓷封裝，具站立的引線和凸緣的的安裝模式。封裝底下的法蘭部同一用作電流保護接地裝置、微波加熱頻射保護接地裝置和熱路。

WLAN中繼器S波段高功率微波射頻晶體管AM200MX-CU-R

2018-11-02 16:54:20 WLAN中繼器S頻譜高運行電壓徽波rfrf射頻納米線管AM200MX-CU-R，這這部份的總閥門寬為20mm。AM200 MX-CU-R是為高運行電壓徽波適用而設計的概念方案的，運行頻次高達hg6GHz。Cu題材是一個種特別的設計的概念方案的陶瓷廠家芯片封裝類型，兼具條直線式引線和凸緣連接式。芯片封裝類型左下角的法蘭片互相有所作為直流電壓一定接地極、rfrf射頻一定接地極和熱路。

C波段VSAT砷化鎵場效應功率管AM150MX-CU-R

2018-11-02 16:51:06 C中波段VSAT砷化鎵場相應輸出公率管AM150MX-CU-R ，這那部分的總柵極大小為15mm。AM150 MX-CU-R是為高輸出公率徽波運用而制作的，運作次數可以達到6GHz。Cu一系列也是種比較特殊制作的工業陶瓷封裝形式，更具切線式引線和凸緣按裝式。

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06 Lk線Sk線大電率砷化鎵電率場調節作用多晶體管AM100MX-CU-R，這一部電影分的總柵極間距為10mm。AM100MX-CU-R是為高電率紅外光用而制定的，運行幀率自由高達6GHz。Cu產品一種異常制定的陶瓷制品封裝類型類型，含有虛線式引線和凸緣組裝式。封裝類型類型低部的法蘭部另外當作直流變壓器保護保護接地、微波射頻保護保護接地和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17 P頻譜高工作熱效率微波加熱射頻應運砷化鎵MESFET集成電路芯片AM072MX-CU-R，一那部分有個個推進改革的鉆研7.2mm門的長寬。在AM072MX-CU-R是自動制作的在高工作熱效率微波加熱射頻應運，進行到6GHz。鉆研銅系例的美圖照片，是在其中一兩個自動制作的瓷器包裝箱與直導和Cu / W的蓋在其中一兩個下拉的重新安裝方試。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21 L頻譜S頻譜高輸出功率徽波操作開發rf射頻氯化鈉晶體管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32 C頻譜S頻譜微波射頻射頻氯化鈉晶體管AM036MX-QG-R，這有一部電影分的總柵極參數為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高耗油率微波射頻應用而制作的，做工作平率多達6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18 L股票波長S股票波長頻射氯化鈉晶體管變大器AM024MX-QG-R ，這三位置的總柵極厚度為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高效率微波加熱運用而結構設計的，運轉頻繁 可高達6GHz。QG系列產品是個金屬芯片封裝類型，全部的引腳變形的的表面安裝使用特色的PC板。芯片封裝類型的側面時候是直流變壓器跨接線、頻射跨接線和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48 S頻譜P頻譜氯化鈉晶體管AM012MX-QG-R，這有一部電影分的總柵極總寬為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高操作效率微波加熱應該用而設計的概念的，操作平率超過6GHz。QG系列產品是一種個塑料管封口，大多數引腳彎度的從表面安裝使用極簡風格的PC板。封口的下方并且對于直流變壓器與地面、微波射頻與地面和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11 L股票波長S股票波長rf頻射尖晶石管AM006MX-QG-R，這一環節分的總柵極橫向為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高輸出徽波軟件應用而開發的，任務速度高達模型6GHz。QG類型也是個塑料材質封裝，因此引腳曲折的接觸面的安裝風格特點的PC板。封裝的底一同成為電流接地系統極、rf頻射接地系統極和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54 Ku頻譜rf射頻晶胞管變小器AM005WN-00-R，其總柵極橫向為0.5mm。這也是是一個裸模，可不能正常運作到18千兆赫。它可不能能提供非常典型的飽合公率為33.4 dBm。它能用的 于低躁音、高最新標準的收機和高公率釋放出機的能夠器。這本分是適用RoHS標準的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32 X波長Ku波長頻射單晶體管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59 S頻譜C頻譜X頻譜Ku頻譜K頻譜地理分布式操作低嘈音增加器集成icCMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K頻譜）GaN低嘈音增加器MMIC，。該網絡帶寬元器件十分的適于要低嘈音數值性能參數和高輸進最大功率存在特性的操作。CMD290保證12.5 dB的增益值，合理的嘈音數值為2.3 dB，13 GHz時的效果1 dB收縮點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48 低嘈音調小器CMD163國防K股票波段低嘈音調小器集成塊，有的是款高動態圖片比率GaAs MMIC低嘈音調小器，非常的支持于國防，地方和通信設備系統性，在這當中小長寬高和高線型度是要點制定規定。該集成電路芯片根據21 GHz來了優化調整，可供給超越24 dB的增加收益，合適的轉換1 dB收縮點為+19 dBm，嘈音指數為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41 Ck線VSAT頻射氯化鈉晶體管AM025WN-00-R，其總柵極總寬為2.5mm（兩只1.25mm的FET串連）。這就是一位裸模，不錯開機運行到15千兆赫。它不錯帶來先進典型的達到飽和狀態效率為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13 X頻譜Ku頻譜頻射多晶體管AM100WN-00-R，其總柵極橫向為10mm（兩點1.25mm的FET電容串聯）。也是一位裸模，還不錯運轉到15千兆赫。它還不錯帶來了主要表現的飽滿額定功率為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35 X光波Ku光波rf射頻硫化鋅管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12 X波長微波微波頻射結多晶體管C波長微波微波頻射結多晶體管AM005WN-BI-R，其總柵極厚度為0.5mm。它在瓷器裝封中自動運行能夠達到12 GHz。BI題材利用特有來設計的瓷器裝封，體現了彎折變形（Bi-G）或直（BI）引線的裝方式方法。裝封上端的蝶閥法蘭此外用于直流電壓接地裝置線、微波微波頻射接地裝置線和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34 X波長微波頻射結晶體管AM012WN-BI-R，是一個個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極參數為1.25mm。它是在衛浴瓷質BI芯片封口，進行自由高達10千兆赫。BI系例施用特種設定的衛浴瓷質芯片封口，體現了彎曲成（Bi-G）或直（BI）引線的裝配途徑。芯片封口底層的法蘭盤同樣充當電流等電位連接線、微波頻射等電位連接線和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33 C中k線rf頻射單多晶體管S中k線rf頻射單多晶體管AM025WN-BI-R，都是個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極尺寸為2.5mm。它在工業陶瓷制品封口中正常運行相當于8 GHz。BI系類用到唯一性設置的工業陶瓷制品封口，有彎折變形（Bi-G）或直（BI）引線的裝形式。封口邊側的法蘭部與此同時看做交流電跨接、rf頻射跨接和熱路。

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R

2018-10-31 15:35:42 Pk線Lk線高功效徽波采用AM100WN-CU-R，這一要素的總柵極：寬度為10公厘。AM100WN-CU-R是主要為高功效徽波采用設置的，工作中頻繁能夠達到6GHz。CU品類是主要設置的衛浴陶瓷二極管封裝形式，具備著直引線和插裝式法蘭盤盤。二極管封裝形式側面的法蘭盤盤直接充當直流電壓跨接、微波射頻跨接和熱路。這

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz

2018-10-31 15:31:39 Sk線Ck線AM050WN-CU-R瓷磚二極管封裝形式類型GaN公率HEMT DC-6GHz，這樣那部分的總柵極屏幕寬度匹配是5mm。AM050WN-CU-R是為高公率微波微波射頻操作而制作的，辦公工作頻率led光通量6GHz。CU系統是特地制作的瓷磚二極管封裝形式類型，具直引線和洛地式卡箍部。二極管封裝形式類型底邊的卡箍部與此同時看作直流電源一定一定接地、微波射頻一定一定接地和熱路。