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HMC6147ALC5A/HMC6147ALC5ATR小型MMIC I/Q下變頻器 ADI現貨
2018-07-03 10:33:00
HMC6147ALC5A有的是款緊奏型型GaAs MMIC I/Q下變頻柜器,主要采用了無引腳RoHS兼容型SMT二極管封裝。 該集成電路芯片供給13 dB小衛星信號改換增益控制,享有25 dBc邊帶減弱。 HMC6147ALC5A主要采用了低環境噪聲增加器來驅程I/Q混頻器,LO由X2倍頻器驅程。
HMC6789BLC5A/HMC6789BLC5ATR陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝 ADI現貨
2018-07-03 10:27:08
HMC6789BLC5A是一個款緊奏型suv型GaAs MMIC I/Q下定頻器,進行貼合RoHS標淮的12引腳、瓷磚無鉛集成ic承載(LCC)裝封。該功率器件提供了14 dB的小警報更換增益控制和25 dBc的系統鏡像遏制性能指標。HMC6789BLC5A進行低躁聲拖動器安裝win7驅動I/Q混頻器,這其中LO由x2乘法器安裝win7驅動
HMC1065LP4E/HMC1065LP4ETR鏡像抑制低噪聲變頻器 ADI現貨
2018-07-03 10:19:31
HMC1065LP4E也是款省油的suv型GaAs MMICiso鏡像軟件限制低嘈音變頻式器,應用包含RoHS的標準的無鉛SMT封口。 該元器具備13 dB的小手機信號準換增益值,17 dBc的iso鏡像軟件限制和-2 dBm導入IP3。 HMC1065LP4E根據RF LNA和由有源X2倍頻器推動的I/Q混頻器事情。
HMC1113LP5E/HMC1113LP5ETR表貼封裝緊湊型下變頻器 ADI現貨
2018-07-03 10:16:58
HMC1113LP5E是一種款密集型GaAs MMIC I/Q下變頻器,主要選取無鉛5 x 5 mm低剪切力注塑工藝PVC表貼封裝類型。 該功率器件具備12 dB的小表現切換增益值、1.8 dB的環境噪聲數值和25 dBc的鏡像軟件文件可能夠抑制功能。 HMC1113LP5E主要選取LNA,后接由LO降低器圖像功率放大器驅動程序的鏡像軟件文件可能夠抑制混頻器。
HMC951BLP4E/HMC951BLP4ETR小型 I/Q下變頻器 ADI現貨
2018-07-02 15:16:32
HMC951B有的是款寬敞型GaAs MMIC I/Q下交流伺服,用到適合RoHS標準規定的無引腳SMT裝封。 該器材在整塊頻段比率內帶來13 dB的小數據信號轉移增加收益、2 dB的低頻噪音公式和24 dB的iso鏡像系統克制性耐熱性。 HMC951B用到LNA,后接由LO保護器變小器驅動器的iso鏡像系統克制性混頻器。
HMC8108LC5/HMC8108LC5TR緊湊型X頻段單芯片低噪聲轉換器 ADI現貨
2018-07-02 15:06:38
HMC8108是一種款緊奏型型、X頻段、砷化鎵(GaAs)單基帶電子器件微波加熱集成化電路板(MMIC)同相正交(I/Q)低燥聲轉變成器,分為符合國家RoHS標準單位的衛浴陶瓷無鉛基帶電子器件媒介芯片封裝。HMC8108將時間范圍為9 GHz至10 GHz的rf射頻(RF)發送數據信息轉變成為輸入輸出終端的60 MHz關鍵單端中頻(IF)數據信息。
HMC1056LP4BE/HMC1056LP4BETR無鉛SMT封裝混頻器 ADI現貨
2018-07-02 14:53:27
HMC1056LP4BE是一款 款緊身型I/Q MMIC混頻器,應用“無鉛”SMT封裝形式,可以選擇作系統鏡像減緩混頻器或單側帶電池直流變頻器這一物件。 該混頻器應用兩人準則Hittite雙平衡性混頻器標段和一款 70度分層器材,均應用GaAs Schottky二級管流程加工制造。
HMC1063LP3E/HMC1063LP3ETR緊湊型I/Q MMIC混頻器 ADI現貨
2018-07-02 14:41:15
HMC1063LP3E是款緊湊型I/Q MMIC混頻器,所運用“無鉛”SMT封裝,該用作鏡像軟件可抑制混頻器或單向喊上交流伺服控制器。 該混頻器所運用3個規則Hittite雙穩定平衡混頻器第一單元和的70度分層集成電路芯片,均所運用GaAs Schottky整流二極管工序創造。
Qorvo推出QPM2637/QPM1002用于雷達應用的超緊湊X波段FEM Qorvo現貨代理商
2018-07-02 14:30:32
Qorvo新的FEMs - QPM2637和QPM1002 - 加入在Qorvo的氮化鎵高技巧前提之外,該高技巧可體現越高的工作效率,不靠譜性,額定電率和可存在性,并可節約開支大小,總重量和投入。所有FEM將核心的T / R傳感器技能一體化到一家緊身的打包封裝中:T / R觸點開關,額定電率調大器和低躁聲調大器(LNA)。
HMC520ALC4/HMC520ALC4TR單芯片同相正交(I/Q)混頻器 ADI現貨
2018-07-02 11:55:30
HMC520A就是款砷化鎵(GaAs)單集合集成運放處理芯片微波加熱集合集成運放(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器,用于合適RoHS基準的24引腳、工業陶瓷無鉛集合集成運放處理芯片媒介(LCC)裝封。該元器能作作映射克制混頻器或單向帶上去調頻器。
HMC8191LC4/HMC8191LC4TR無源混頻器芯片 ADI現貨代理商
2018-07-02 11:48:52
HMC8191就是款無源移動寬帶I/Q單心片微波加熱ibms集成運放(MMIC)混頻器,能用的 作收器鏡象能夠抑制混頻器或發送器單向帶有調頻器。HMC8191兼備6 GHz至26.5 GHz的rf射頻(RF)和本振(LO)比率及DC至5 GHz的中頻(IF)帶寬的配置,至關適用于需寬規律比率
HMC524ALC3B/HMC524ALC3BTR緊湊型GaAs MMIC I/Q混頻器 ADI現貨
2018-07-02 11:41:18
HMC524ALC3B不是款緊奏型型GaAs MMIC I/Q混頻器,選擇完全符合RoHS規范規范的無引腳SMT陶瓷廠家二極管封裝。 該元元器件封裝封裝常用作鏡象緩和混頻器或一側戴上變頻器這一物件器。 該混頻器選擇5個規范規范雙穩定平衡混頻器單位和是一個直角混合法元元器件封裝封裝,均選擇GaAs MESFET技術打造。
HMC498LC4/HMC498LC4TR高動態范圍功率放大器 ADI現貨
2018-06-29 13:47:59
HMC498LC4也是款高的動態范圍之內之內GaAs PHEMT MMIC一般輸出電功率縮放器,用于無引腳“無鉛”SMT二極管封裝。 該縮放器具有著17至24 GHz的本職工作范圍之內之內,提供了22 dB增益控制、+26 dBm呈現飽和狀態輸出電功率和23% PAE(+5V主機電源電壓值)。
HMC383LC4/HMC383LC4TR通用MMIC驅動放大器 ADI現貨代理商
2018-06-29 13:42:06
HMC383LC4是一種款統一GaAs PHEMT MMIC驅動軟件調大器,進行合乎RoHS的標準的無引腳SMT打包封裝。 該調大器進行+5V單電源開關,增加收益為15 dB,趨于穩定功效為+18 dBm。 在整體事情頻帶寬度內體現了一樣的的增加收益和輸出功效
HMC633LC4/HMC633LC4TR驅動放大器頻率5.5至17 GHz ADI現貨
2018-06-29 11:41:51
HMC633LC4都是款GaAs PHEMT MMIC驅動器放小器,主要采用無鉛4x4 mm表貼淘瓷封裝類型,的工作頻段依據為5.5至17 GHz。 該放小器保證高達模型30 dB的增益值、+30 dBm工作的輸出IP3及+23 dBm的工作的輸出電機功率
HMC634LC4/HMC634LC4TR驅動放大器陶瓷表貼封裝 ADI現貨
2018-06-29 11:34:17
HMC634LC4是一個款GaAs PHEMT MMIC驅使擴大器,主要采用無鉛4x4 mm瓷磚表貼封口,辦公概率空間為5至20 GHz。 該擴大器展示高至21 dB的增益控制值、+29 dBm所在IP3及+22 dBm的所在熱效率(1 dB增益控制值縮減時),輸出功率為180 mA(+5V交流電源)。
HMC498/HMC498-SX功率放大器頻率范圍為17至24 GHz ADI現貨
2018-06-29 11:21:07
HMC498就是一款高動態化領域GaAs PHEMT MMIC輸出變成器,的工作次數領域為17至24 GHz。 HMC498帶來了24 dB增益控制,飽和點輸出為+27 dBm,供電工作電壓為+5V (25% PAE)。 鑒于長寬較小,HMC498變成器可輕松自在ibms到多存儲芯片方案(MCM)中。
HMC-APH596/HMC-APH596-SX兩級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器 ADI現貨
2018-06-29 11:18:34
HMC-APH596是一個款多級GaAs HEMT MMIC中低檔內容輸出效率圖像放大儀,做工作率區間為16至33 GHz。 HMC-APH596帶來17 dB增加收益,分為+5V電額定電壓時存在+24 dBm內容輸出內容輸出效率(1 dB擠壓)。
RFGA2012低功耗線性放大器 Qorvo現貨代理商
2018-06-28 17:16:12
Qorvo的RFGA2012特地來設計用在以面值最小的直流電壓功效實行高OIP3。超直線功效已在150MHz至3GHz的條件頻段中能夠證明材料。RFGA2012體現了VBIAS引腳,能接受用戶的面向既定符合要求seo空態電流量。VBIAS引腳也能用的 作掉電引腳。
RFGA0024高性能InGaP HBT MMIC放大器 Qorvo現貨
2018-06-28 17:03:26
Qorvo的RFGA0024不是款高能力InGaP HBT MMIC變大器。RFGA0024的里面有源偏置集成運放不可以變大器一直從5V電源開關運作,并能提供相對穩定的電流量隨溫暖變現沒收違法所得理Beta變現。這件達林頓變大器的里面自動匹配熱敏電阻為50歐姆,相當好想要小的尺寸和非常少外表構件的利用。
RFGA0014低成本寬帶增益MMIC放大器 Qorvo現貨代理商
2018-06-28 16:46:56
Qorvo的RFGA0014就是款高能InGaP HBT MMIC變小器。RFGA0014的內部組織管理有源偏置電路系統不能變小器同時從5V電壓運轉,并供應穩固的瞬時電流隨氣溫改變處以理Beta改變。這輛達林頓變小器的內部組織管理相配功率電阻為50歐姆,更加適于都要小寬度和非常少冗余電子器件的應用。
RF5633驅動器級線性功率放大器IC 5 V線性功率放大器 Qorvo現貨
2018-06-28 16:39:52
Qorvo的RF5633是專為結果是或驅動安裝器級app構思的曲線公率擴大器IC。該元件主要包括配有后殼跨接的無引線單片機芯片承載。RF5633構思用在在比較廣泛的熱度和公率輸入讀取超范圍內做到曲線。靜態相匹配為數個頻段的輸入讀取公率展示可以調整性。
RF5623中等線性功率放大器IC Qorvo現貨
2018-06-28 16:29:31
Qorvo的RF5623是專為中高輸出馬力選用方案的線性網絡輸出馬力縮放器IC。該器材運用先進性的InGaP異質結雙極氯化鈉晶體管(HBT)生產技術生產制造,方案用來作為802.16e火箭發射器的最中微波射頻縮放器。
RF3827高線性度的RF放大器IC 線性通用放大器Qorvo現貨
2018-06-28 16:21:13
Qorvo的RF3827不是款常用,低代價,高平滑度的RF增加器IC。該器材所使用砷化鎵加工制作工藝 生產,所使用3mm x 3mm,16引腳QFN封裝。它至關適合代替平滑/低噪音污染增加器,當中OIP3相當38dBm,噪音污染常數值為1.5dB。
RF3315高效率放大器 200 - 2200 MHz寬帶高線性度放大器 Qorvo現貨熱銷
2018-06-28 16:06:31
Qorvo的RF3315是一個款高效性率砷化鎵異質結雙極晶胞管(HBT)變成器,主要包括低料工費表面層貼裝打包封裝。該變成器很適用人群于想要200MHz至3GHz概率範圍內的高非線性度和低噪音風機源指數的應用。
RF3223表面貼裝封裝500 - 2000 MHz低噪聲,高線性驅動放大器 Qorvo現貨
2018-06-28 16:03:29
Qorvo的RF3223也是款用以成本低費用表面上貼裝封裝的高質量GaAs異質結雙極多晶體管(HBT)圖像功率圖像運放電路。該圖像功率圖像運放電路是非常使用以是需要500MHz至3GHz速率超范圍內的高規則化度和低燥音指數的軟件應用。RF3223用以單5V電源模塊供電局,用以劃算的3mm x 3mm QFN封裝。
RF3220高效率砷化鎵異質結雙極晶體管(HBT)驅動放大器 Qorvo現貨熱銷
2018-06-28 15:38:32
Qorvo的RF3220是款優質率砷化鎵異質結雙極晶胞管(HBT)調大器,進行低直接費用界面貼裝打包芯片封裝。該調大器尤其適用到于必須要 500MHz至3GHz概率依據內的高直線度和低噪音彈性系數的廣泛應用。RF3220進行單5V開關電源供電設備,進行第三產業的3mm x 3mm QFN打包芯片封裝。
RF2162高功率高效率線性放大器IC Qorvo 3 V線性放大器現貨代理商
2018-06-28 15:23:18
Qorvo的RF2162是真對3V拿著軟件體系的高額定功率高效能率線形變大器IC。該集成電路芯片按照先進性的砷化鎵異質結雙極納米線管(HBT)的工藝造成,的設計作為雙基本模式3V CDMA / AMPS拿著羅馬數字蜂窩裝置擴頻軟件體系和另外應用軟件中的之后RF變大器。 800MHz至960MHz頻段。
QPM1000集成式限幅器/ LNA高性能低噪聲放大器 Qorvo現貨出售
2018-06-28 15:20:09
Qorvo QPM1000是一種款模塊化式限幅器/ LNA,可在2-20GHz頻點規模內提高穩進,高安全耐熱性。QPM1000在增加收益操縱下提高17 dB的小數字信號增加收益,在整頻點規模內具備1.7 - 4 dB的燥音常數,> 18 dBm P1dB。還有就是,模塊化限幅器提高萬代高達4 W的入射熱效率的穩進性的水平,而不能降低安全耐熱性。
美國AMCOM 微波設計制造公司 AMCOM代理商
2018-06-28 14:57:18
AMCOM開設于一九九六年111月,由許多在徽波控制電路制定和徽波元器產生技術應用角度臨床經驗大量的徽波制定師分解成。它地屬韓國馬里銀川蓋瑟斯堡,距華盛頓大西北約20英里。該平臺用作當先的徽波制定組織機構化其中包括盛譽,該組織機構化其中包括馬力FET,MMIC馬力調大器同時帶RF和DC連接方式器的高馬力調大器板塊,這個板塊已的準備使用方便于徽波設計。
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